性能突破性提升！我國攻克半導體材料世界難題！近日，西安電子科技大學團隊首創(chuàng)“離子注入誘導成核”技術，將原本隨機的晶體生長過程轉為精準可控的均勻生長，成功將粗糙的“島狀”界面轉變?yōu)樵蛹壠秸摹氨∧ぁ?，實驗顯示，新結構界面熱阻僅為傳統(tǒng)的三分之一。使芯片散熱效率和器件性能獲得突破性提升。

基于該技術制備的氮化鎵微波功率器件，刷新輸出功率密度國際紀錄，最高提升40%。這意味著同樣芯片面積下，裝備探測距離可顯著增加，通信基站也能覆蓋更遠、更節(jié)能。