大數(shù)據(jù)與人工智能時代，對數(shù)據(jù)加載速度的要求越來越高。采用易失性存儲器，速度快但容量小、功耗高；采用非易失性閃存，容量夠但速度慢。

未來，這一算力發(fā)展瓶頸有望得到突破，復(fù)旦大學(xué)研發(fā)的全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片公布，相關(guān)研究成果發(fā)布在《自然》期刊上。

隨著硅作為原材料的芯片工藝不斷逼近物理極限，二維半導(dǎo)體作為下一代關(guān)鍵材料，近年來獲得諸多關(guān)注。

今年4月，復(fù)旦大學(xué)團隊發(fā)表了全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的閃存原型器件“破曉”，存儲速度比傳統(tǒng)閃存快100萬倍，但與硅材料納米級別的工藝相比，二維半導(dǎo)體厚度僅為1-3個原子，相當(dāng)于不到1納米，制造工藝難度要求極高，如何實現(xiàn)其與現(xiàn)有硅基工藝平臺的集成，又不破壞其性能，成為該技術(shù)未來能否大規(guī)模應(yīng)用的核心問題。

為了找到這條“正確的路”，團隊前期經(jīng)歷了5年的探索試錯，最終通過創(chuàng)新核心工藝，實現(xiàn)了二維材料與硅基電路的緊密貼合，芯片集成良率高達94.3%，遠超集成電路制造89%良品率的優(yōu)異線，攻克了二維信息器件工程化的關(guān)鍵難題，率先實現(xiàn)全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片，性能“碾壓”目前的Flash閃存技術(shù)，也就是說在人工智能領(lǐng)域緊缺的顯存，未來有望直接用二維閃存芯片來代替，成本、功耗將遠小于當(dāng)前。

團隊下一步計劃建立實驗基地，與相關(guān)機構(gòu)合作，用3-5年時間將項目集成到兆量級水平。