大數(shù)據(jù)與人工智能時代對數(shù)據(jù)加載速度提出更高要求，而傳統(tǒng)存儲技術(shù)面臨速度與持久性難以兼顧的瓶頸，這一困境有望被打破。10月8日，復旦大學科研團隊宣布成功研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片，相關(guān)成果發(fā)表于國際權(quán)威期刊《自然》。

主流CMOS工藝芯片表面看似平整，實則微觀起伏顯著，如同從太空俯瞰上海，細節(jié)處高低錯落，二維半導體如同一層薄膜覆蓋其上，如何使其適應硅基表面的不平整度，是技術(shù)落地的關(guān)鍵難點

歷經(jīng)五年探索，復旦大學周鵬與劉春森團隊通過器件設(shè)計與集成工藝的協(xié)同優(yōu)化，最終實現(xiàn)二維材料與CMOS襯底在原子級尺度的緊密貼合，芯片良率突破94%，遠超集成電路制造89%的行業(yè)基準。該芯片作為全球首個二維-硅基混合架構(gòu)閃存，性能已超越當前主流閃存技術(shù)，標志著混合架構(gòu)從理論邁入工程化階段。

今年4月，復旦大學周鵬與劉春森團隊已在《自然》發(fā)表“破曉”二維閃存原型器件研究，實現(xiàn)400皮秒超高速非易失存儲，創(chuàng)下半導體電荷存儲技術(shù)的最快紀錄，為算力提升奠定底層原理基礎(chǔ)。然而，從原理突破到規(guī)?；a(chǎn)，仍是團隊亟需攻克的核心挑戰(zhàn)。

目前，團隊已完成從基礎(chǔ)研究到工程應用的關(guān)鍵跨越，下一步將建立實驗基地，聯(lián)合產(chǎn)業(yè)機構(gòu)推進自主主導的工程化項目，計劃在3至5年內(nèi)實現(xiàn)兆量級集成目標。